低电压SRAM位线漏电流补偿电路设计

摘要：

在SOC系统级芯片中,静态内存占有很重要的地位,嵌入式和低压应用成为SRAM设计目前的主流方向.本文提出了一种低电压SRAM位线漏电流补偿电路设计方案,以提升SRAM的规模和速度性能.

关键词： SOC 静态存储器 位线漏电流 补偿电路 灵敏放大器 静态内存

作者: 季科夫 吴金 魏同立

作者单位: 东南大学微电子中心,210096

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 117-120

在线出版日期: 2002-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）