器件尺寸对RTD性能的影响

摘要：

由于共振隧穿二极管(RTD)在超高频方面的优异性能,近年来得到了广泛的重视.本文通过对InGaAs/A1As材料的不同尺寸共振隧穿二极管(RTD)的研究,发现对于不同峰谷比和峰值电流密度,通过调整器件尺寸,可以得到符合性能要求的RTD.

关键词： 分子束外延 共振隧穿二极管 峰谷比 峰值电流密度 器件尺寸

作者: 张晓昕 曾一平 王保强 朱占平

作者单位: 中国科学院半导体所新材料部,北京912信箱,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 875-877

在线出版日期: 2002-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）