硅衬底上高质量氮化铝的GSMBE生长及表征

摘要：

用NH3作气源的MBE法在Si(111)和Si(100)衬底上外延生长了高质量的AIN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积A1以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化.用XRD,DCXRD(X射线双晶衍射)、原位RHEED(反射式高能电子衍射)、AFM(原子力显微镜)等分析手段对外延层进行了结晶性和表面形貌的表征,证实了A1N外延层具有较高的质量.

关键词： 分子束外延 氮化铝 硅衬底 XRD X射线双晶衍射

作者: 罗木昌 孙殿照 曾一平 林兰英 王晓亮 刘宏新 王雷 李晋闽 孙国胜 张小平 潘华勇 胡国新

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料中心,北京912信箱,100083 北京大学物理系电镜中心,北京,100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 820-823

在线出版日期: 2002-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）