有效抑制掺杂表面偏析效应的LT-MBE技术

摘要：

在分子束外延中,所有的掺杂剂都存在表面偏析效应.本文提出的低温分子束外延技术,有效地抑制了掺杂剂的表面偏析效应,掺杂浓度可达到∽1020/cm3.生长掺杂后用原位RHEED观测,晶体质量良好.这种技术应用于SiGeHBT发射区和发射区接触的制作,结果表明,材料结构满足器件的要求.

关键词： 掺杂工艺 表面偏祈 分子束外延 快速热退火 集成电路

作者: 张静 徐婉静 李开成 刘道广 刘嵘侃

作者单位: 信息产业部电子24所模拟集成电路国家重点实验室,重庆市南坪花园路14号,400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 158-161

在线出版日期: 2002-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）