衬底温度可控强脉冲电子束烧蚀沉积LiNbO3薄膜工艺研究
介绍了在不同衬底温度下,用强脉冲电子束在单晶硅(110)衬底上沉积LiNbO3薄膜的工艺过程,以及用脉冲电子束进行薄膜晶化处理的试验结果.使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)等方法,对薄膜的成份、晶体结构及表面形貌进行分析测试.采用表面轮廓仪测定LN薄膜的膜厚分布均匀性等.
脉冲电子束 铁电薄膜 薄膜沉积 晶体结构
文雄伟 李路明 江兴流 韩丽君 潭轶平
清华大学机械系 北京航空航天大学理学院
国内会议
昆明
中文
205-208
2004-09-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)