CdS纳米半导体薄膜的光电性能
本文以不同摩尔比的氯化镉与硫代乙酰胺混合溶液为电解液,应用电沉积技术,在表面活性剂与电解液的液/液界面之间制备CdS纳米薄膜.研究了原料比例,槽压,沉积温度,电解液酸碱度对纳米膜光电性能的影响,确立了制备CdS纳米半导体薄膜电极的最佳工艺条件.SEM观察到,此薄膜是由粒径大约70nm左右的球形晶粒连结而成的,从相应区域的能谱图可以断定纳米膜由S、Cd两种元素构成,原子比接近1:1;由纳米膜的XRD谱图分析得出硫化镉纳米膜中含有单质镉;荧光光谱图表明纳米膜在紫外光照射下发出荧光;紫外-可见吸收光谱分析表明这种CdS纳米膜具有量子尺寸效应,起始吸收相对于体相带系发生了蓝移.CdS纳米膜光电极的光电化学特征表明,光电流在阳极方向增加,这是n型半导体的标志.此外,阳极光电流随阳极电势的增加达到饱和,该特征预示CdS纳米膜可用于制作与光电化学能量转化(H2和O2产生)有关的光电极.
纳米膜 硫化镉 电沉积
栾野梅 安茂忠 乐士儒 张文吉
哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001
国内会议
重庆
中文
108-112
2004-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）