电极表面光滑程度对水介质高电压击穿的影响
本文采用水介质同轴实验装置,改变电极表面的光滑程度,在微秒级充电时进行水介质击穿实验,并对实验结果进行了分析和解释.由结果和分析得出结论如下:(1)电极表面光滑程度越好,水介质击穿场强E越大,抛光可提高水介质击穿场强15～20％;(2)当有效时间teff＞2μs时,E～teff关系为E∝teff-1/6;(3)电极表面光滑程度的改善提高水介质击穿场强主要机制为:电极表面光滑程度改善后,阴极场致发射电流减弱,其加热形成气泡的能力减弱,击穿延迟时间变大,即抑制气泡的出现及形成;而且气泡难以附着在更为光滑的电极表面.
水介质 高电压击穿 微秒级充电 电极表面 光滑度
张自成 张建德 杨建华 周相
国防科技大学光电科学与工程学院,长沙,410073
国内会议
吉林延吉
中文
129-133
2004-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）