国产DBD开关性能初步测试
延迟击穿开关(DBD)是一种新型半导体开关,它具有低抖动、高重复频率、不需外触发等优点,能够有效的限制预脉冲,提高上升时间,可以应用于电磁脉冲源、触发源、高功率微波、脉冲功率等诸多领域,发展前景十分广阔.本文着重介绍DBD开关的结构特点、工作原理和国外的研发应用状况,并对国产DBD开关的性能进行初步测试.在现有条件下,单管工作电压2.0kV,脉冲前沿1.32kV/ns,电流58.5A,峰值功率1.2MW.
PIN二极管 延迟雪崩击穿 延迟击穿开关 脉冲功率
孙铁平 曾正中 丛培天
西北核技术研究所,陕西,西安,710024
国内会议
吉林延吉
中文
113-115
2004-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）