超大规模集成电路中铜互连的制备技术

摘要：

集成电路中铜的制备方法通常是先做一层薄薄的种籽层，然后电镀铜(ECP)，再进行化学机械抛光(UP)来形成嵌入式的铜互连结构。铜种籽层的淀积技术主要有溅射(Sputter)，化学气相淀积(CVD)和原子层淀积(ALD).连同铜的电镀技术，比较了上述几种制备方法的特点。本文则将对这些制备方法的基本原理和最新进展进行了介绍。

关键词： 超大规模集成电路 互连技术 铜 电镀工艺

作者: 陈玮 任杰 卢红亮 张卫 王季陶

作者单位: 复旦大学微电子学系,上海,200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 2005年上海市电镀与表面精饰学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 188-190

在线出版日期: 2005-05-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）