MEMS微器件用永磁体电镀技术的研究
本文采用掩膜-电铸(镀)技术制作MEMS微器件是一种行之有效的方法.本文研究了采用电镀方法制备CoNiMnP永磁薄膜的工艺、性能以及在微继电器原位制造、电磁驱动器永磁体阵列器件方面的应用.对薄膜的组成、磁性能、晶体结构、脆性以及应力等性能的研究对比表明:从稀氯化物体系(200mT)中获得的CoNi12Mn0.4P5永磁体薄膜具有最好的磁性能:Hc=26230e,Br=0.2T,(BH)max=10.15kJ/m3,且脆性小、内应力较低.进一步解析发现这可能是因为与易磁化轴相平行的Co(110)面上存在织构所致.在此基础上采用掩膜-电镀技术已成功地制备出微继电器原位制造和电磁驱动器永磁体薄膜阵列.
MEMS微器件 CoNiMnP永磁体薄膜 掩膜微电铸 磁性能 电镀法
汪红 丁桂甫 苏宇锋
上海交通大学微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室
国内会议
上海
中文
126-130
2005-05-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）