Bi2O3对高磁导率MnZn铁氧体显微结构及磁导率的影响
近年来,随着以ISDN、LAN、个人计算机和工作站为代表的各种电子设备的小型化、高效率化的不断进展,要求电子元器件也相应小型化、薄型化.以LAN、MODEM等设备中用的传输变压器为例,目前使用的是以装配高度在4mm以内的薄型变压器为主流,这就需要研制比过去材料更高的高磁导率铁氧体材料.此外,高磁导率特性的铁氧体材料制成的脉冲变压器、共模扼流圈等主要用于各种通信、传输设备的信号传送系统.本研究通过向高磁导率MnZn铁氧体材料中引入Bi2O3及MoO3等氧化物,并严格控制烧结工序温度曲线与气氛曲线,获得μi高达28000,Tc≥125℃的高磁导率MnZn铁氧体材料。
MnZn铁氧体 显微结构 磁导率 Bi2O3 烧结工序温度
陆明岳 陈茂勇
浙江春晖复合材料有限公司,浙江,上虞,312300
国内会议
桂林
中文
66-68
2005-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）