C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究

摘要：

利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上分别制备了C膜和Hf膜,并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构,随后在N<,2>保护下,通过在900~1300K范围内退火,研究样品处于高温工作环境下表面相结构和成分的变化,以此解决了C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的工作机理.

关键词： 栅极电子发射 薄膜材料 表面相结构 双离子束溅射

作者: 吴雪梅 诸葛兰剑 柳襄怀

作者单位: 苏州大学物理系,江苏省薄膜材料重点实验室(江苏苏州) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2005年全国功能材料学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 28-30

在线出版日期: 2005-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）