以阳离子双子表面活性剂C<,12-2-12>为模板合成纯硅立方介孔材料
用Gemini表面活性剂”C<,12>H<,25>N<”+>(CH<,3>)<,2>-(CH<,2>)<,2>-N<”+>(CH<,3>)<,2>C<,12>H<,25>”·2Br<”->做模板合成了立方结构的介孔二氧化硅,并且用小角X射线衍射和氮气吸附-脱附技术对样品进行了表征.结果表明:所得到的介孔二氧化硅为立方结构,晶胞参数在8.49~8.57nm之间.孔道的有序性随表面活性剂与Na<,2>SiO<,3>比例的增大而增加.氮气吸附-脱附等温线为第Ⅳ类型的等温线,在相对压力P/P0=0.15~0.25和P/P<,0>=0.8~1的范围内出现两个H1型滞后环,分别是由介孔孔道和颗粒之间的空穴引起的.BET表面积也随表面活性剂与Na<,2>SiO<,3>比例的增大而增大,最大可达1100m<”2>/g.最可几孔径在2.20nm左右.
阳离子 表面活性剂 介孔材料 纯硅 模板
许军 武玉民 韩书华 王仁亮 于小娟
青岛科技大学(青岛) 胶体与界面化学教育部重点实验室(山东大学)(济南)
国内会议
北京
中文
1666-1670
2005-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）