会议专题

液相外延法制备弛豫铁电PZNT膜

采用PbO作助溶剂,我们首次在钛酸锶衬底上获得”100”(001)<,PZNT>//”100”(001)<,STO>具有规则取向的PZNT外延膜.本研究对上述结果作了SEM及XRD等表征,并对外延生长机理进行了探讨.研究发现,由于晶格匹配、回熔及氧化铅对衬底的腐蚀等问题,在氧化镁和铝酸镧单晶体衬底上很难外延生长PZNT膜.通过在钛酸锶衬底上生长一层100nm左右的高c轴取向的PZT种膜,可以改变外延生长模式和明显改善外延膜的质量,使原来直接在钛酸锶上的岛状三维生长变为二维生长,获得了几个微米厚较完整的PZNT膜.

膜材料 铁电单晶 晶体生长 液相外延

曾新华 姚忻 秦奋

上海交通大学物理系(上海)

国内会议

2004年中国材料研讨会

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996-1001

2004-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)