CH<,4>/(CH<,4>+Ar)流量比对Ge<,1-x>C<,x>薄膜化学键合的影响

摘要：

采用射频磁控溅射方法在纯Ar、CH<,4>气氛中在单晶Si(100)衬底上沉积了非晶Ge<,1-x>C<,x>薄膜.利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)讨论了CH<,4>/(CH<,4>+Ar)流量比对Ge<,1-x>C<,x>薄膜化学键合的影响.结果表明,当CH<,4>/(CH<,4>+Ar)流量比在0~20﹪之间时最有利于Ge<,1-x>C<,x>膜中Ge—C健的形成.

关键词： 薄膜 红外光学材料 磁控溅射 化学键合

作者: 胡超权 郑伟涛 刘建伟 田宏伟

作者单位: 吉林大学材料科学系(长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1007-1009

在线出版日期: 2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）