TEOS LPCVD工艺在硅片封闭技术中的应用

摘要：

液态硅源硅酸乙酯(TEOS)在700~750℃分解的LPCVD工艺,二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到20~30nm/min,薄膜的厚度均匀性小于1﹪,这些优良的工艺特性和其在使用安全性方面的显著特点已逐步成为沉积SiO<,2>薄膜的主流工艺.本文主要阐述了TEOS LPCVD工艺在硅片封闭技术中的应用.

关键词： 集成电路生产 硅片封闭技术 硅酸乙酯 背封

作者: 刘振淮 史舸 王文卫 王文

作者单位: 麦斯克电子材料有限公司(洛阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 96-98

在线出版日期: 2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）