关于抛光硅片清洗和IPA干燥技术的研究

摘要：

介绍了采用OPSC溶浸式湿法化学清洗工艺,同时使用串联的SC-1槽和兆声功能来去除颗粒,使用含O<,3>的去离子水形成均匀硅氧化膜,最后用IPA干燥.整个系统采用多功能全自动的清洗,生产出的100mm、125mm、150mm抛光硅片,达到较理想的清洗效果.本文对进一步消除IPA干燥后的边缘目检缺陷(edge spot)做了几点探讨,使抛光硅片的目检缺陷降低在可控范围内.

关键词： 硅片抛光 溶浸式清洗 干燥工艺 目检缺陷

作者: 齐旭东 熊诚雷 史舸 郭体强 王文

作者单位: 麦斯克电子材料有限公司(洛阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 92-95

在线出版日期: 2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）