硅抛光片几何参数控制的工艺研究

摘要：

半导体硅始终被认为是电子和微电子工业中最主要的材料,目前IC技术已实现0.13μm,正在迈进小于90nm的时代.这使得IC制作过程的成品率和产品质量越来越受到单晶硅片质量的影响,其中光刻技术对硅抛光片表面几何参数的要求也越来越严格.而如何持续地提高硅片的几何参数水平,特别是总厚度变化(TTV)及局部平整度(STIR)的水平,成为了硅片供方当前一个不断探索的主题.

关键词： 硅片抛光 硅片几何参数 蜡抛光 模板抛光

作者: 史舸 邓德翼 王文卫 舒钧 郭体强 李科技

作者单位: 麦斯克电子材料有限公司(洛阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 84-88

在线出版日期: 2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）