三维连续碳化硅网络增强Al、Cu高热导率电子封装材料的研究
在传统的电子封装用金属基复合材料中,SiC颗粒增强金属基复合材料的研究与开发受到广大科研工作者的重视.在这种材料中,作为增强相的碳化硅颗粒是弥散在金属基体之中的,材料的线膨胀系数强烈地依赖于碳化硅颗粒的体积分数,而较大的碳化硅颗粒体积分数又势必降低材料的热导率.本文提出将三维网络SiC骨架整体增强金属基的新概念,并用陶瓷工艺制备了这种整体预制件骨架.这种预制件已不是传统意义上的颗粒或纤维增强型,这种材料在热循环过程中,增强体除了可承受压应力外,还可承受拉应力,复合材料在较低的SiC体积分数下,获得较低的热膨胀系数,从而使复合材料获得较高的热导率.
电子器件封装 复合材料 碳化硅 界面热阻 线膨胀系数
金基明 陈亚
贵州新材料矿业发展有限公司(贵阳)
国内会议
北京
中文
79-83
2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）