一次同时完成的硅片双面抛光技术
本文主要介绍在国产双面抛光机上一次同时完成的硅片双面抛光技术.通过大量试验和实践,我们从设备到工艺(包括对关键原材料及辅助工具的合理选用),采取了一系列行之有效的措施,终于成功地实现了一次同时完成硅片双面抛光工艺,硅片最薄加工厚度已达到215μm.加工的硅双面抛光片,具有精度指标高、表面质量好等一系列优点,φ76.2~100mm硅双面抛光片其TTV以及TIR一般都保证小于1.0μm.
半导体材料 硅片 双面抛光
董尧德 汪桂发 胡新华
万向硅峰电子股份有限公司(浙江开化)
国内会议
北京
中文
66-70
2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）