氮化物半导体中远红外量子级联激光器材料设计

摘要：

本文提出基于GaN量子阱材料的中远红外量子级联激光器,与现有的基于GaAs材料的远红外量子级联激光器相比,它能显示出明显的优越性.在量子阱AlGaN/GaN中纵向光学(LO)声子散射的能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大LO声子能量(约90meV),有效地减少高温下产生激光低能态的热布居.分析显示,用一个相对较低的阈值电流密度(832A/cm<”2>)能够实现室温下产生50/cm的阈值光学增益,而且这种结构的特征温度高于136K.

关键词： 激光器材料 氮化物半导体 量子级联激光器 光学声子散射 阈值光学增益

作者: 吕燕伍 Greg Sun

作者单位: 北京交通大学物理系(北京) 麻萨诸塞州立大学物理系(波士顿)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 49-53

在线出版日期: 2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）