ZnO/SiO<,x>纳米电缆的制备、结构和生长机理

摘要：

以混合的锌粉和锡粉作为原料,通过热蒸发的方法在沉积有金膜的硅基片上制备出具有”心线-壳层”同轴结构的ZnO/SiO <,x>纳米电缆.扫描和透射电镜的研究表明这种纳米电缆产量很高,长度达到数个微米,并且确认了其”心线-壳层”的独特结构.不同于以往ZnO一维纳米材料的三种快速生长方向<0001>,<0110 <”->>及<2110 <”->>,其ZnO芯的生长方向为”2021 <”->”.本实验中锡粉和金膜分别作为抑制剂和催化剂,通过控制锌粉的蒸发速度以及金硅共熔反应使ZnO/ SiO <,x>纳米电缆在硅基片上得到一维生长.

关键词： 纳米材料 纳米电缆 硅基片 氧化锌 氧化硅

作者: 贺建 黄运华 顾有松 张跃 戴英 纪箴 展晓元 周成

作者单位: 北京科技大学新金属材料国家重点实验室(北京) 北京科技大学材料物理与化学系(北京) 北京科技大学材料物理与化学系(北京);北京科技大学新金属材料国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 433-438

在线出版日期: 2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）