一种MBE生长的用于GaAs功率PHEMT的优良微结构材料

关键词： MBE生长 GaAs功率 微结构材料

作者: 曹昕 曾一平 孔梅影 潘量 陈堂胜

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京) 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 210-211

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）