MBE生长实用化高质量p-HEMT结构材料
该文给出一种用MBE方法制备实用的p-HEMT材料方法，其2DEG浓度随材料结构不同在2.0-4.0×10<”12>cm<”-2>之间，室温霍耳迁移率在5000-650cm<”2>v<”-1>S<”-1>之间。厚度不均匀<±1.5；组分不均匀<±1.5；浓度不均匀<±1.5；表面缺陷密度<±100/cm<”2>；通过与器件单位的合作，制备出的栅长为0.7μm p-HEMT器件的直流参数为：I<,dss>～280mA/mm，I<,max>～520-580mA/mm，gm～320-400mS/mm，BV<,DS>>15V(I<,DS=1mA/mm)，BV<,GS>>10V，微波特性：P<,0>～600-900mW/mm，G～6-10dB，ｎ<,add>～40-60℅；栅长为0.4μm 的器件的直流参数：I<,max>～800mA/mm，g<,m>>400mS/mm。
MBE生长 P-HEMT材料
王宝强 曹昕 曾一平
中国科学院半导体研究所(北京)
国内会议
广西北海
中文
31～33
2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）