基于BiCMOS制作技术的探讨与研究

摘要：

此文从最简单最基本的三重扩散3DBiCMOS制作工艺技术入手,分析了BiCMOS制作工艺的特征,重点探讨了双阱BiCMOS工艺处理方法,进行了CMOS,双极晶体管和BiCMOS工艺对比分析,对BiCMOS制作工艺及性能提高的前景进行了探讨与研究.

关键词： 双极晶体管 扩散工艺 注入工艺 外延层

作者: 鄢云

作者单位: 西安航空技术高等专科学校(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国兵工学会第十二届测试技术学术年会

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 83-86

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）