会议专题

利用MBE在GaAs衬底上生长高质量立方GaN

MBE GaAs GaN生长

陈弘 李志强 刘洪飞 刘双 万里 黄绮 周均铭

中国科学院物理研究所

国内会议

第五届全国分子束外延学术会议

昆明

中文

63-64

1999-06-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)