TIGBT稳态模型分析

摘要：

本文利用二维数值模拟软件对一种新型功率器件TIGBT(Trench Insulated-Gate Bipolar Transistor)进行了数值分析,并根据数值分析结果,提出了TIGBT的稳态模型.该模型不仅考虑了槽底电子积累层引起的基区电导调制作用增强效应,而且还考虑到缓冲层对器件性能的影响.通过与器件模拟结果的比较,表明该模型能准确地描述TIGBT稳态时的物理特性.

关键词： 二维数值模拟 稳态模型 功率开关

作者: 张旻 杨之廉

作者单位: 清华大学微电子所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2000年中国博士后学术大会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 386-390

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）