深亚微米槽栅PMOSFET结构参数对抗热载流子特性的影响

摘要：

本文基于动力学能量输运模型,利用二维器件仿真软件MEDICI<””4”>,集中研究了槽栅PMOSFET的负结深、凹槽拐角以及沟道和衬底掺杂浓度对其抗热载流子特性的影响.

关键词： 深亚微米 槽栅PMOSFET 热载流子效应 结构参数

作者: 任红霞

作者单位: 西安电子科技大学微电子研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2000年中国博士后学术大会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 117-121

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）