新型声表面波器件中氧化锌薄膜的研制
本文采用直流磁控反应溅射法,在单晶S,(110),A1/Si,Diamond/Si三种衬底上分别生长出了高度c轴取向的ZnO薄膜.此薄膜具有高质量的纳米级结晶度(10nm~30nm),良好的表面平整度(低于10nm),高于10<,7>·Ωcm电阻率及较高的应力承载性,很好的满足了薄膜声表面波(SAW)器件制备及降低损耗的需要.通过改变工作气压,氩氧比等工艺参数,较系统地探索了ZnO薄膜的制备条件.采用多种分析手段,如X射线衍射(SRD),扫描电镜(SEM),高能反射式电子衍射(RHEED),原子力显微镜(AFM)等对薄膜的微观结构及结晶品质进行了测试分析,并对薄膜的电学性能及机械性能进行了考察.
ZnO薄膜 c轴取向 声表面波 反应磁控溅射法
陈菁菁 李冬梅 潘峰
清华大学材料系先进材料教育部重点实验室,清华大学材料与工程系(北京)
国内会议
宁波
中文
7-13
2004-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）