射频PECVD法制备Si-C-H薄膜的研究

摘要：

本实验采用射频PECVD方法以高氢稀释的SiH<,4>和CH<,4>薄膜,并对沉积的薄膜在N<,2>氛围中进行了退火研究.用红外吸收光谱、X射线衍射、原子力显微镜对薄膜进行热处理前后的结构和表面形貌分析.测试结果显示在所沉积的薄膜中含有Si-C键,分布于结晶性好的Si晶粒之间.

关键词： Si-C-H薄膜 退火 红外 XRD AFM X射线衍射 原子力显微镜 化学气相沉积

作者: 张翼英 杜丕一 韩高荣

作者单位: 浙江大学材料系硅材料国家重点实验室(浙江杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国真空学会薄膜技术学术研讨会

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 54-56

在线出版日期: 2004-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）