Cu-Zr/ZrN薄膜体系的低电阻率
Cu的扩散主要是通过晶界扩散,因而非晶扩散阻挡层逐渐成为人们研究的热点.由于TiN有低的接触电阻,相应推测ZrN也有很低的接触电阻.为此本文采用磁控溅射方法在Si(111)基片上沉积Cu-Zr/ZrN薄膜体系作为扩散阻挡层.通过比较Cu-Zr/ZrN薄膜体系和三元非晶(Mo,Ta,W)-Si-N的电阻率,同时比较Cu-Zr/ZrN薄膜体系和Ta、TaN的硬度,说明作为扩散阻挡层的材料的选取,应从整体性能上考虑,而不能仅仅考虑热稳定性等单一指标.
非晶 电阻率 纳米压入 硬度 磁控溅射 双向脉冲靶材 射频靶材 铜锆合金 氮化锆
白宣羽 汪渊 徐可为 范多旺
西安交通大学金属材料强度国家重点实验室(西安) 兰州交通大学光电技术与智能控制教育部重点实验室(兰州)
国内会议
宁波
中文
50-53
2004-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）