会议专题

硅,镁同位素中高能核数据计算与评价

为满足中高能核技术应用的需要,计算评价了中子或质子入射硅,镁同位素时产生的各种截面数据,能量范围20MeV~GeV.评价主要基于核模型和系统学.描述了所用的计算评价程序系数,以及基于软旋转子模型的耦合道计算方法.出射粒子角度积分能谱及同位素生成截面的结果与实验值及LA150库结果进行了比较.

高能物理学 中高能核数据 同位素 软旋转子模型 耦合道法

孙伟力 叶涛 张本爱

北京应用物理与计算数学研究所(北京)

国内会议

中国核学会2004年学术会议

北京

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115-120

2004-05-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)