低介电常数纳米多孔二氧化硅薄膜的制备
以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法、旋转涂胶和超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO<,2>薄膜.用近线性生长模型和分形生长模型研究了SiO<,2>溶胶的粘度-时间曲线,确定了SiO<,2>溶胶的结构演变过程.适合旋转涂胶的SiO<,2>溶胶的粘度为9mPa·s~15mPa·s;旋转涂胶时SiO<,2>溶胶的粒子尺寸与其浓度密切相关.该SiO<,2>薄膜具有三维网络结构,表面均匀平整,SiO<,2>微粒直径为10nm~20nm.SiO<,2>薄膜的厚度为400nm~1000nm;折射率为1.09~1.24;介电常数为1.5~2.5.
纳米多孔薄膜 二氧化硅 低介电常数 溶胶凝胶法 旋转涂胶
王娟 张长瑞 冯坚
国防科学技术大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室(湖南长沙)
国内会议
杭州
中文
141-144
2004-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）