4H-SiC同质外延中的缺陷

摘要：

从实验出发,有LPCVD外延系统在偏向<110>方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长.外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微表征方法探讨了CVD法4H-SiC同质延中的位错、微管和孪晶等缺陷形貌并分析其形成机理.

关键词： 同质外延 汽相沉积法 微管 位错 扫描电子显微镜 外延层

作者: 李哲洋 刘六亭 董逊 张岚 许晓军 柏松

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 251-254

在线出版日期: 2005-08-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）