4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究

摘要：

对于栅挖槽的4H-SiC MESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀(RIE),界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要.反应离子刻蚀的SiC表面平滑不是很好,刻蚀损伤严重,选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善刻蚀后表面形貌,进一步减小表面的刻蚀损伤.工艺优化后栅的肖特基特性有了明显改善,理想因子接近于1.制成的4H-SiC MESFET直流夹断特性良好,饱和电流密度达到350mA/mm.

关键词： 反应离子刻蚀 牺牲氧化 肖特基势垒 物理碰撞 刻蚀参数 饱和电流密度

作者: 柏松 韩春林 陈刚

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 248-250

在线出版日期: 2005-08-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）