n型4H-SiC欧姆接触技术研究进展

摘要：

主要对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=1.12×10-5Ω·cm2,ρc=2.75×10-6Ω·cm2能够很好的满足SiC器件的需要.

关键词： 欧姆接触 特征接触电阻率 反应离子刻蚀 超声剥离法 高倍光学显微镜 快速退火法

作者: 陈刚 耿涛 柏松

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 245-247

在线出版日期: 2005-08-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）