1mm栅宽X波段6W AlGaN/GaN微波功率HEMT

摘要：

器件采用了SiC衬底上生长的有GaN帽层的掺杂势垒AlGaN/GaN异质结构,Ti/Al/Au欧母接触,Ni/Au肖特基势垒接触,栅长为0.4μm的场调制板结构以及SiN介质钝化.该器件的电流增益截止频率为28GHz,最高振荡频率为500Hz.1mm栅宽的该器件在8GHz,Vds=300V时,输出功率6.1W,功率增益为7.8dB,功率附加效率(PAE)40.3﹪

关键词： 宽禁带半导体 高电子迁移率 晶体管 场板 微波功率 拐点电压

作者: 陈堂胜 焦刚 薛舫时 曹春海 李拂晓

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 241-244

在线出版日期: 2005-08-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）