硅微波LDMOS功率器件的研制

摘要：

提出了通过ICP槽侧壁扩散和填充多晶硅注入推进相结合实现源与衬底连接的LDMOS器件结构,并利用该结构进行了LDMOS器件研制,获得了初步研制结果.

关键词： 硅微波 多晶硅 ICP深槽 漂移区结构参数 引线电感 漏源击穿特性

作者: 王佃利 李相光 刘洪军 蔡俊 傅义珠 盛国兴 王因生

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 237-240

在线出版日期: 2005-08-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）