X波段AlGaN/GaN HEMT功率器件

摘要：

采用蓝宝石为衬底的AlGaN/GaN外延材料,台面工艺隔离,Ti/Al/Ni/Au欧姆接触金属,Ni/Au肖特基接触金属,空气桥方法将源连接等主要技术,制备了GaN基HEMT器件.

关键词： 蓝宝石衬底 宽禁带 肖特基接触金属 倒装封装器件 功率附加效率 器件直流性能

作者: 冯震 王勇 张志国 蔡树军

作者单位: 河北半导体研究所;河北工业大学信息工程学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 234-236

在线出版日期: 2005-08-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）