1GHz CW 100W LDMOSFET研制
简要介绍了微波功率LDMOSFET的优点、应用领域和当前的研究现状.报道了采用难熔金属Mo栅工艺技术,设计研制出的高性能微波功率LDMOSFET.
微波功率 沟道长度 共源推挽方式 器件连续波 功率增益 漏极效率
刘英坤 邓建国 郎秀兰 张颖秋 吴坚 李明月
河北半导体研究所
国内会议
北京
中文
226-229
2005-08-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
微波功率 沟道长度 共源推挽方式 器件连续波 功率增益 漏极效率
刘英坤 邓建国 郎秀兰 张颖秋 吴坚 李明月
河北半导体研究所
国内会议
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226-229
2005-08-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)