InP单晶材料发展与现状

摘要：

介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉式技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉式技术(VCZ/PC-LEC)垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等.对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向.还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素.

关键词： 单晶材料 液封直拉式 垂直布里奇曼 晶片位错密度 成熟热场配置 拉晶工艺条件

作者: 孙聂枫 周晓龙 陈秉克 孙同年

作者单位: 河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 212-217

在线出版日期: 2005-08-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）