单片式外延炉在硅外延生产中的应用

摘要：

利用单片炉的各种优点,在150~200mm重掺砷和P型衬底上外延、150mm BiCMOS薄层外延、150mm SIGe和SOI外延等领域进行了生产应用.将所得性能参数和批式外延炉性能参数进行比较,获得的性能参数试验结果在原有基础上得到了很大的提高.实验研究结果应用于实际批量生产,取得了较好的经济效益.

关键词： 单片外延炉 硅外延片 重掺砷 均匀性 反应室压力 电阻率均匀性

作者: 赵丽霞

作者单位: 河北普兴电子材料有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 207-211

在线出版日期: 2005-08-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）