硅晶圆D-缺陷之分析与改善

摘要：

半导体用硅晶棒主要是使用CZ法长晶.在长晶过程中因温度梯度及长晶速率之变动致使点缺陷不平衡而产生D-缺陷(V-rich,COP,FPD)和A-缺陷(Large Dislocation Loops),由于D-缺陷对闸极氧化层(Gate Oxide Integrity)会有坏的影响,大尺寸IC用硅晶圆以尽量少量为佳.本文主要讨论,D-缺陷之检测方法及对抛光片LPD(Light Point Defects)之影响,并且报告以高温RTP及掺氮减少D-缺陷的结果.

关键词： 硅晶圆 D-缺陷 闸极氧化层 高温掺氮

作者: 邱恒德 游元信 林淑萍 黄冠文

作者单位: 合晶科技股份有限公司(台湾省)

会议类型: 国内会议

会议名称: 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 5-9

在线出版日期: 2004-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）