会议专题

硅晶格缺陷的透射电镜(TEM)分析

硅的晶格缺陷与硅材料的性能密切相关.在提高硅材料的质量的实践中,人们不断积累了大量关于硅晶格缺陷的理论知识与实践经验.硅晶格缺陷的具体结构是原子尺度的.开展硅晶格缺陷的分析与研究,首先碰到的是显微技术.本文介绍了硅中各种类型的晶格缺陷,介绍了透射电镜分析技术在这个领域应用中的特色与局限.

硅材料 晶格缺陷 透射电镜

陈一 朱烨 王宏培 胡岗

国家微分析中心,复旦大学材料科学系(上海)

国内会议

上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会

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47-50

2004-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)