在SiC陶瓷衬底上生长纳米金刚石薄膜

摘要：

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,在较低的反应气体压力下在SiC陶瓷衬底上成功生长出纳米金刚石薄膜.用拉曼光谱对纳米金刚石薄膜结构进行了分析,用光学显微镜对薄膜表面形貌进行了观察,用台阶仪对薄膜表面粗糙度进行了测量.结果表明,当反应气压下降至0.5~1kPa时,薄膜晶粒大大减小,薄膜表面粗糙度降低至40nm.

关键词： 金刚石薄膜 化学气相沉积法 碳化硅 陶瓷衬底 纳米晶粒

作者: 吴南春 夏义本 谭寿洪 王林军

作者单位: 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系(上海);中国科学院上海硅酸盐研究所(上海) 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系(上海) 中国科学院上海硅酸盐研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 76-78

在线出版日期: 2004-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）