氧氮共注入提高SIMOX材料抗辐射性能研究

摘要：

本文采用不同的注N剂量、不同的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料.采用二次离子质谱(SIMS)分析了材料退火之后的离子分布,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO<,2>/Si界面处;为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在SIMOX和不同方法制作的SIMON材料上制作了NMOS场效应晶体管,并测试了辐射前后的转移特性.

关键词： 氧氮共注 离子注入 辐照加固 半导体器件

作者: 张恩霞 钱聪 张正选 王曦 张国强 李宁 郑中山 刘忠立

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海) 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2004-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）