纳米硅提高SIMOX绝缘埋层的总剂量辐射加固技术

摘要：

本文首先对Si注入在SIMOX的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述.接头号,对纳米硅在绝缘埋层中的俘获电子的行为机理进行分析讨论;最后,对利用纳米硅提高SIMOX材料的绝缘埋层的制备的MOSFET的辐射特性进行了报道.

关键词： 绝缘埋层 纳米硅 离子注入 体硅材料 抗辐射加固

作者: 钱聪 张恩霞 张正选 林成鲁

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 113-117

在线出版日期: 2004-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）