SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析

摘要：

本文对Si<,1-X>Ge<,x>源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体效应得到了明显的抑制.并且,随着Ge含量的提高,浮体效应得到进一步的抑制.

关键词： 半导体器件 体硅材料 浮体效应 SOI电路 SiGe源结构

作者: 朱鸣 林青 张正选 林成鲁

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 109-111

在线出版日期: 2004-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）