噻吩与HX(X=F,Cl,Br,I)相互作用的理论研究

摘要：

本文在MP2/6-311++Gd(d,p)水平系统地研究了噻吩和卤化氢,C<,4>H<,4>S-HX(X=F,Cl,I)形成的复合物体系.在优化的几何结构中,HX位于噻吩环的上方,X原子基本位于噻吩环的正上方,H原子和噻吩的C2和C3周围的π-电子形成X-H…π键,它与静电势分布是一致的.MP2/6-311++G(3d,3p)水平的结合能表明是比较强的分子间相互作用,基本质是静电和轨道共同作用.

关键词： 噻吩 芳香杂环 噻吩电子密度 均衡校正法 函数重叠误差

作者: 黄冬梅 王一波

作者单位: 贵州大学化学系贵州省高性能计算化学重点实验室(贵阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国化学会全国第十二届大环化学、第四届超分子化学学术讨论会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 454-457

在线出版日期: 2004-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）