蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HEMT研究
报告了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/Au肖特基势垒接触以及SiN介质进行器件的纯化.研制的200μm栅宽T型布局AlGaN/GaN HEMT在1.8GHz、V<,ds>=30V时输出功率28.93dBm,输出功率密度达到3.9W/mm,功率增益为15.59dB,功率附加效率(PAE)48.3﹪.在6.2GHz、V<,ds>=25V时该器件输出功率27.06dBm,输出功率密度为2.5W/mm,功率增益为10.24dB,PAE为35.2﹪.
宽禁带半导体 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 微波大功率 蓝宝石衬底
焦刚 陈堂胜 薛舫时 李拂晓
南京电子器件研究所
国内会议
上海
中文
441-444
2003-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）